半導體制造車間對溫濕度的控制及露點設備推薦
在半導體制造中，水一直是影響較大的污染物之一，統(tǒng)計顯示，不符合工況要求的水分造成的損失占損失的 25%。為避免產品質量和產量出現問題，在半導體制造過程中必須尤為謹慎地監(jiān)測濕度和溫度水平。如濕度是硅晶圓生產過程中關鍵的因素，如果空氣太干燥，靜電就會成為問題。
半導體、微電路和微芯片制造需要在制造/加工區(qū)域保持非常精確的條件。用于半導體組裝或加工的元件通常具有吸濕性，因此極易受到高濕度條件的影響。
吸濕成分可以導致：
電路點腐蝕
半導體組裝的操作故障
光刻膠附著力不當
微芯片電路表面結露。
組裝領域：在半導體和集成電路的生產過程中，過多的水分會對鍵合過程產生不利影響并增加缺陷。稱為光致抗蝕劑的光敏聚合物化合物用于掩蓋蝕刻過程中的電路線。由于它們的吸濕性，它們會吸收水分，導致微觀電路線被切斷或橋接，從而導致電路故障。
晶圓制造區(qū)域：在晶圓制造過程中，旋轉器將顯影劑噴射到晶圓表面，使晶圓上的溶劑迅速蒸發(fā)，從而冷卻晶圓表面。這導致空氣中的水蒸氣凝結在晶片表面上。晶圓上多余的水會導致顯影劑的特性發(fā)生變化。抗蝕劑還會吸收水分，導致聚合物膨脹。將相對濕度控制在 30% 可以消除將晶圓表面冷卻至晶圓表面周圍空氣露點以下的可能性，從而防止故障和損壞。
光刻室：光刻室的條件需要保持在 20% 至 35% RH 之間，溫度約為 700°F。過多的水分會導致二氧化硅吸收水分，導致光刻膠粘附不當，從而導致應力斷裂和表面缺陷。
真空抽氣速度更快：如果濕度較高，低溫泵等真空設備的運行會因水蒸氣負荷較大而減慢。如果 RH 水平能夠維持在 30-35% 左右，則可大大降低，從而提高批處理速度。。
TK-100 在線露點儀的傳感器，采用的是 靜電容量式原理。
當水分子被夾在兩個導電層之間的多孔絕緣層 吸收時，上導電層與下導電層之間的電容將會 產生變化。
該電容量通過傳感器內部電路被線性的轉換為露點 的模擬信號。 吸濕水分的絕緣層厚度為 0.5 μm 以下，上層導電金屬層厚度為 0.1 μm 以下，即使少量 水分的吸附也可迅速反應。
擁有如此薄度的同時，傳感器仍保持優(yōu)秀的強韌及耐久性。
■ 靜電容式露點儀
■ 測量范圍：-100~20℃dp
■ 精度：±2℃dp
■ 短交貨期
采用先進的傳感器技術
應用：半導體、液晶、電池、電子行業(yè)
